تکنولوژی V-NAND
مدیریت بهینه انرژی
سیستم حفاظت دمایی
ضدشوک 1,500 G & 0.5 ms
پایداری بالا و طول عمر تضمین شده
سرعت خواندن و نوشتن خارق العاده
تکنولوژی انحصاری و یکپارچه سامسونگ
برقراری امنیت بالا با استفاده از رمزگذاری پیشرفته 256 بیتی AES
مصرف پایین انرژی
مقاوم در برابر لرزش، شوک
دمای ذخیره سازی :40- تا 85 درجه سانتیگراد
میانگین عمر : 1.000.000 ساعت
پشتیبانی از دستور NCQ و TRIM
پشتیبانی از دستورات .S.M.A.R.T
ظرفیت : 120 گیگابایت
نوع رابط : SATA 3.0
سرعت خواندن اطلاعات ترتیبی : 540 مگابایت بر ثانیه
سرعت نوشتن اطلاعات ترتیبی : 520 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن اطلاعات تصادفی : 97,000IOPS
سرعت نوشتن اطلاعات تصادفی : 88,000IOPS
کنترل کننده : Samsung MGX