مصرف پایین انرژی
مقاوم در برابر لرزش، شوک
دمای ذخیره سازی :40- تا 85 درجه سانتیگراد
میانگین عمر : 1.000.000 ساعت
پشتیبانی از دستور NCQ و TRIM
پشتیبانی از دستورات .S.M.A.R.T
ظرفیت : 120 گیگابایت
نوع رابط : SATA III 6 Gbps
سرعت خواندن اطلاعات ترتیبی : 533 مگابایت بر ثانیه
سرعت نوشتن اطلاعات ترتیبی : 436 مگابایت بر ثانیه
ساختار چیپ فلش : MLC
کنترلر : phison
پشتیبانی : S.M.A.R.T , NCQ
پشتیبانی از : TRIM Command
قابلیت به روز رسانی : Firmware
تکنولوژی V-NAND
مدیریت بهینه انرژی
سیستم حفاظت دمایی
ضدشوک 1,500 G & 0.5 ms
پایداری بالا و طول عمر تضمین شده
سرعت خواندن و نوشتن خارق العاده
تکنولوژی انحصاری و یکپارچه سامسونگ
برقراری امنیت بالا با استفاده از رمزگذاری پیشرفته 256 بیتی AES