تکنولوژی V-NAND
مدیریت بهینه انرژی
سیستم حفاظت دمایی
ضدشوک 1,500 G & 0.5 ms
پایداری بالا و طول عمر تضمین شده
سرعت خواندن و نوشتن خارق العاده
تکنولوژی انحصاری و یکپارچه سامسونگ
برقراری امنیت بالا با استفاده از رمزگذاری پیشرفته 256 بیتی AES
ظرفیت : 120 گیگابایت
نوع رابط : SATA 3.0
سرعت خواندن اطلاعات ترتیبی : 540 مگابایت بر ثانیه
سرعت نوشتن اطلاعات ترتیبی : 520 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن اطلاعات تصادفی : 97,000IOPS
سرعت نوشتن اطلاعات تصادفی : 88,000IOPS
کنترل کننده : Samsung MGX
مقاوم در برابر ضربه و شوک
دارای استاندارد های : RoHS, CE, FCC, VCCI, RCM, BSMI
عملکرد بدون صدا، بدون تاخیر و جستجوی خطا
پشتیبانی از فرمان TRIM و تکنولوژی Garbage Collection
دارای تکنولوژی ECC برای ضمانت اعتبار انتقال دادهها و مصرف پایین انرژی
سرعت خواندن اطلاعات : حداکثر 560 مگابایت بر ثانیه (560MB/s)