تکنولوژی V-NAND
مدیریت بهینه انرژی
سیستم حفاظت دمایی
ضدشوک 1,500 G & 0.5 ms
پایداری بالا و طول عمر تضمین شده
سرعت خواندن و نوشتن خارق العاده
تکنولوژی انحصاری و یکپارچه سامسونگ
برقراری امنیت بالا با استفاده از رمزگذاری پیشرفته 256 بیتی AES
کیفیت ساخت و ماندگاری بالا
رابط : M.2 PCIe Gen 3 x4 with NVM Express
قابلیت پشتیبانی از TRIM و S.M.A.R.T
دارای رابط پر سرعت PCIe Gen 3.0 x4, NVMe 1.3
سیستم هوشمند جمع آوری اطلاعات زائد (Garbage Collection)
قابلیت کد گذاری 256 بیتی AES و پروتکلهای امنیتی TCG/Opal
استفاده از جدیدترین کنترلر (V-NAND Phoenix) و نسل جدید تکنولوژی TurboWrite
بهره گیری از تکنولوژی پیشرفته V-NAND با افزایش 50 درصدی ظرفیت نوشتاری (TBW)