تکنولوژی V-NAND
مدیریت بهینه انرژی
سیستم حفاظت دمایی
ضدشوک 1,500 G & 0.5 ms
پایداری بالا و طول عمر تضمین شده
سرعت خواندن و نوشتن خارق العاده
تکنولوژی انحصاری و یکپارچه سامسونگ
برقراری امنیت بالا با استفاده از رمزگذاری پیشرفته 256 بیتی AES
فناوری SLC Caching Write Booster
مدیریت آسان با نرم افزار SSD Toolbox
سرعت بالای خواندن 520MB/s و نوشتن 450MB/s
استفاده از نسل جدید فلشها: 3D TLC NAND Flash
دارای قابلیت تصحیح خطا (ECC (error correction code
استفاده از رابط ارتباطی پرسرعت SATA 3 با سرعت 6 گیگابیت بر ثانیه
ظرفیت : 120 گیگابایت
نوع رابط : SATA 3.0
سرعت خواندن اطلاعات ترتیبی : 540 مگابایت بر ثانیه
سرعت نوشتن اطلاعات ترتیبی : 520 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن اطلاعات تصادفی : 97,000IOPS
سرعت نوشتن اطلاعات تصادفی : 88,000IOPS
کنترل کننده : Samsung MGX