تکنولوژی V-NAND
مدیریت بهینه انرژی
سیستم حفاظت دمایی
ضدشوک 1,500 G & 0.5 ms
پایداری بالا و طول عمر تضمین شده
سرعت خواندن و نوشتن خارق العاده
تکنولوژی انحصاری و یکپارچه سامسونگ
برقراری امنیت بالا با استفاده از رمزگذاری پیشرفته 256 بیتی AES
ظرفیت : 480 گیگابایت
نوع رابط : SATA III 6 Gbps
سرعت خواندن اطلاعات ترتیبی : 533 مگابایت بر ثانیه
سرعت نوشتن اطلاعات ترتیبی : 436 مگابایت بر ثانیه
ساختار چیپ فلش : MLC
کنترلر : phison
پشتیبانی : S.M.A.R.T , NCQ
پشتیبانی از : TRIM Command
قابلیت به روز رسانی : Firmware