تکنولوژی V-NAND
مدیریت بهینه انرژی
سیستم حفاظت دمایی
ضدشوک 1,500 G & 0.5 ms
پایداری بالا و طول عمر تضمین شده
سرعت خواندن و نوشتن خارق العاده
تکنولوژی انحصاری و یکپارچه سامسونگ
برقراری امنیت بالا با استفاده از رمزگذاری پیشرفته 256 بیتی AES
مصرف پایین انرژی
مقاوم در برابر لرزش، شوک
دمای ذخیره سازی :40- تا 85 درجه سانتیگراد
میانگین عمر : 1.000.000 ساعت
پشتیبانی از دستور NCQ و TRIM
پشتیبانی از دستورات .S.M.A.R.T
نوع رابط : SATA 3.0
ظرفیت : 120 گیگابایت
نوع فلش: TLC
فرم فاکتور2.5 اینچ
سرعت خواندن اطلاعات: 560 مگابایت بر ثانیه
سرعت نوشتن اطلاعات : 410 مگابایت بر ثانیه
مقاوم در برابر ضربه : بله
مقاوم در برابر شوک: بله